近日，国际知名MDPI出版集团旗下的SCI期刊 “Micromachines” （JCR 2区）邀请罗小蓉教授针对GaN和SiC的电子器件在高效功率转换、高效射频通信系统领域的全球热点问题，设置专刊“Advances in GaN- and SiC-Based Electronics: Design and Applications”，并担任该专刊特约编辑。
罗小蓉教授是国家重要人才计划特聘教授，爱思唯尔“中国高被引学者”，教育部新世纪优秀人才计划入选者，四川省有突出贡献的优秀专家等，长期从事功率半导体器件与集成技术研究。
罗小蓉教授受邀担任“Micromachines”期刊的专刊“Advances in GaN- and SiC-Based Electronics: Design and Applications”编辑
专刊征稿信息如下：
射频和功率电子产业对世界科技与经济发展具有重要的推动作用。世界新兴产业如电动汽车、数据中心、可再生能源发电以及智能电网等领域要求基于GaN和SiC的功率器件具有更高的功率密度、更高的击穿电压和更低的损耗；未来5G和6G网络也需要GaN RF器件具有更高的fT，fmax和更高的效率。以上两个挑战都可以通过开发先进的GaN和SiC基电子产品来解决。在过去几十年中，GaN和SiC相关研究取得了显著的进步，但仍有些科学问题需要解决，包括(1)低缺陷生长方法，(2)高性能先进器件结构的优化，(3)器件工艺及钝化的优化方法，(4)先进驱动管理和热管理方法，(5)电路与系统的电源应用集成，(6)可靠性分析和可靠性增强等。
因此，本专刊邀请国内外相关科研人员面向包括但不限于以下七个方面的研究投稿：
1. 先进材料的结构、生长和表征 (Advanced material structures, growth and characterization)；
2. 功率器件 (Power devices)；
3. 射频器件 (RF devices)；
4. 先进器件制造工艺 (Advanced device manufacturing process)；
5. 集成设计 (Integration design)；
6. 组件技术 (Module technology)；
7. 可靠性 (Reliability)。
专刊投稿见以下链接：
https://www.mdpi.com/journal/micromachines/special_issues/43930L15Q5。
欢迎校内外同行积极投稿。
